Характеристики:
• Найменування приладу: SPW35N60CFD
• Тип транзистора: MOSFET
• Полярність: N
• Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 313 W
• Гранично допустима напруга сток-витік |Uds|: 600 V
• Гранично допустима напруга затвор-витік |Ugs|: 20 V
• Порогова напруга включення | Ugs (th) |: 5 V
• Максимально допустимий постійний струм стоку |Id|: 34.1 A
• Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
• Загальний заряд затвора (Qg): 163 nC
• Час зростання (tr): 25 ns
• Вихідна ємність (Cd): 1400 pf
• Опір сток-витік відкритого транзистора (Rds): 0.118 Ohm
• Тип корпусу: TO247
• Найменування приладу: SPW35N60CFD
• Тип транзистора: MOSFET
• Полярність: N
• Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 313 W
• Гранично допустима напруга сток-витік |Uds|: 600 V
• Гранично допустима напруга затвор-витік |Ugs|: 20 V
• Порогова напруга включення | Ugs (th) |: 5 V
• Максимально допустимий постійний струм стоку |Id|: 34.1 A
• Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
• Загальний заряд затвора (Qg): 163 nC
• Час зростання (tr): 25 ns
• Вихідна ємність (Cd): 1400 pf
• Опір сток-витік відкритого транзистора (Rds): 0.118 Ohm
• Тип корпусу: TO247
Розмір | 1.5/4.2/0.1 |
Укрпошта. Доставка 3-7 робочих днів. 
Нова пошта. Доставка 1-3 робочих днів. Замовлення, зроблені до 14-00, відправляються в той же день (крім вихідних і святкових днів)
Готівкою та післяплатою при отриманні
Картки Visa та Mastercard
Google Pay та Apple Pay Приват24 та LiqPay
Переказ на картку ПриватБанку та Монобанку
Написать нам